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首页 首页 > 产品中心 > 磁传感器芯片系列 > 线性类磁传感器芯片 > FFE系列

FFE-002F16LV5JR

●TMR(隧道磁阻效应)技术
●DFN1.6x1.6-3L封装形式采用半惠斯通电桥结构
●内置高精度、低功耗运算放大器
●输出信号为模拟信号
●低功耗、低迟滞、高频响应特性
●低输出噪声确保了卓越的传感器分辨率
  • 产品尺寸结构图


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